利用微研磨颗粒流形成半导体元件的方法

摘要

一种制造微电子单元的方法包括提供半导体元件，其具有前表面、背离前表面的后表面，通过朝向半导体元件引导精细研磨颗粒的喷流而形成至少一个第一开口，其从所述后表面朝向所述前表面延伸而部分地穿过半导体元件，形成至少一个第二开口，其从所述至少一个第一开口延伸至暴露在前表面的至少一个导电垫的底表面，和形成至少一个导电触点和与其相连的至少一个导电互连。每个导电互连可在一或多个所述第一开口内延伸，并且可被连接至所述至少一个导电垫。至少一个导电触点可以暴露在半导体元件的后表面处，用以电连接至外部器件。

主权项

一种制造微电子单元的方法，包括：提供半导体元件，其具有前表面，背离前表面的后表面，内部的多个有源半导体器件，和暴露在前表面处的多个导电垫，所述导电垫具有暴露在半导体元件前表面处的顶表面和与顶表面相反的底表面；通过朝向半导体元件引导精细研磨颗粒的喷流而形成至少一个第一开口，其从所述后表面朝向所述前表面延伸、部分地穿过半导体元件；形成至少一个第二开口，其从所述至少一个第一开口延伸到至少一个导电垫的底表面，所述至少一个第二开口暴露所述至少一个导电垫的底表面的至少一部分；在第一开口内形成介电区域，并且用穿透所述介电区域的激光形成缝隙；以及形成至少一个导电触点和与其相连的至少一个导电互连，其中形成至少一个导电互连的步骤至少在所述缝隙中形成了导电互连并且包括以与所述至少一个导电垫的底表面接触的方式沉积导电材料，每个导电互连在一或多个所述第一开口内延伸并且连接着所述至少一个导电垫，所述至少一个导电触点被形成为与所述介电区域的暴露表面直接接触并且完全布置在第一开口限定的区域内，所述至少一个导电触点暴露在半导体元件的后表面处，用以电连接至外部器件。