一种形成介质层的方法以及抛光方法

摘要

一种形成介质层的方法，包括如下步骤：提供一半导体晶圆；在半导体晶圆表面生长第一介质层，所述第一介质层覆盖半导体晶圆的全部表面；采用一遮挡物遮挡半导体晶圆表面第一介质层的边缘区域；以及在第一介质层表面继续生长第二介质层，所述第二介质层覆盖第一介质层表面未被遮挡物遮挡的部分。本发明还提供了一种抛光方法。本发明的优点在于，通过采用遮挡物的方法生长第二介质层，从而获得中心区域厚度大于边缘区域的介质层，实施抛光工艺的过程中采用这样的介质层，能够抵消抛光工艺自身的速度偏差，抛光之后的介质层厚度均匀。

主权项

一种形成介质层的方法，包括如下步骤：提供一半导体晶圆；以及在半导体晶圆表面形成介质层，所述介质层的边缘区域的厚度小于中心区域的厚度；其特征在于，形成介质层的步骤进一步包括：在半导体晶圆表面生长第一介质层，所述第一介质层覆盖半导体晶圆的全部表面；采用一遮挡物遮挡半导体晶圆表面第一介质层的边缘区域；以及在第一介质层表面继续生长第二介质层，所述第二介质层覆盖第一介质层表面未被遮挡物遮挡的部分，所述第一介质层与第二介质层的材料相同，所述遮挡物的宽度范围是晶圆半径的2%至6%。