| 发明名称 | 制作晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 揭示一种制作晶体管的方法(图3A到3F)。所述方法包括在衬底(300)的面处形成电介质层(306)以及在所述电介质层上形成栅极(312)。在所述衬底中在所述栅极附近植入(316)源极和漏极区(310)。在所述栅极中植入(318)非晶区以形成非晶区。在所述栅极附近形成应力产生层(332)。对所述栅极进行退火以使所述非晶区再结晶。 | ||
| 申请公布号 | CN103779281A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201310495532.2 | 申请日期 | 2013.10.21 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 崔尹升;沙申科·苏雷夏钱德拉·埃克博特 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 林斯凯 |
| 主权项 | 一种制作晶体管的方法，其包括：在衬底的面处形成电介质层；在所述电介质层上形成栅极；在所述衬底中在所述栅极附近植入源极和漏极区；以所述栅极的上60％中的平均植入深度对所述栅极进行植入，以形成非晶区；在所述栅极附近形成应力产生层；以及对所述栅极退火。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||