| 发明名称 | 一种制备六方氮化硼薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制备六方氮化硼薄膜的方法，包括如下步骤：先制备铜镍合金箔作为衬底，将所述衬底置于压强为20～5000Pa的化学气相沉积腔室中，使所述衬底的温度保持在950～1090℃，并通入温度为50～100℃的源物质，同时通入保护气体生长10分钟～3小时，从而在所述铜镍合金箔衬底表面制备形成六方氮化硼薄膜。该方法通过控制生长参数可以在铜镍合金衬底上制备不同尺寸六方氮化硼晶畴以及不同厚度的连续膜。制备的六方氮化硼晶畴边长最大可达上百微米，而且结晶性好，制备条件简单、成本低，生长所需条件参数的窗口较宽、重复性好，为六方氮化硼薄膜在石墨烯器件等领域的广泛应用打下了基础。 | ||
| 申请公布号 | CN103774113A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201410062801.0 | 申请日期 | 2014.02.24 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 卢光远;吴天如;宋阳曦;王浩敏;谢晓明;江绵恒 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种制备六方氮化硼薄膜的方法，其特征在于，所述制备六方氮化硼薄膜的方法至少包括步骤：先制备铜镍合金箔作为衬底，将所述衬底置于压强为20～5000Pa的化学气相沉积腔室中，使所述衬底的温度保持在950～1090℃，并通入温度为50～100℃的源物质，同时通入保护气体生长10分钟～3小时，从而在所述铜镍合金箔衬底表面制备形成六方氮化硼薄膜。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||