发明名称 一种MEMS微结构平面位移测量方法
摘要 本发明请求保护混合分形插值和奇异值分解的MEMS微结构平面位移测量方法,涉及图像相位相关技术和MEMS动态测量领域。本发明通过改进传统相位相关法,提出了一种混合分形插值和奇异值分解的MEMS微结构平面位移测量方法,克服了传统方法计算量大,测量分辨率不足的缺陷,实现MEMS微机构平面运动位移的快速高精度测量。
申请公布号 CN103776381A 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN201410065015.6 申请日期 2014.02.25
申请人 重庆邮电大学 发明人 罗元;张毅;计超;胡章芳;郝宏刚
分类号 G01B11/02(2006.01)I;G06F19/00(2011.01)I;G01C25/00(2006.01)I 主分类号 G01B11/02(2006.01)I
代理机构 重庆华科专利事务所 50123 代理人 康海燕
主权项 混合分形插值和奇异值分解的MEMS微结构平面位移测量方法,其特征在于,包括步骤:获取MEMS微结构运动图像中零相位时刻的图像A和任一相位时的图像B;计算图像A和图像B发生位移变化时图像的归一化互功率谱,获得相位相关矩阵Q;对相位相关矩阵进行奇异值分解,获得水平和垂直方向的奇异向量,并进行秩为一的矩阵估计;屏蔽相位相关矩阵中幅值小于阈值的数据,屏蔽距离中心直流分量半径为O以外区域的相位相关矩阵中的数据;利用分形插值对屏蔽数据后的相位相关矩阵的系数进行插值;获得奇异向量,利用最小二乘法对奇异向量的线性相位系数进行拟合,得到拟合直线的斜率;根据拟合直线的斜率确定图像A和图像B之间的位移。
地址 400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号