温度传感器

摘要

本发明提供一种温度传感器，即使在构成生成温度依赖电流的电路的半导体元件上存在制造偏差，也能比以往更高精度进行温度测定。本发明的温度传感器，其中包括：生成依赖于温度的温度依赖电位的温度依赖电压生成电路；根据温度依赖电位使温度依赖电流流过的电流生成晶体管；生成不依赖于温度的基准电流的基准电流生成电路；通过利用温度依赖电流的第一充电周期和利用基准电流的第二充电周期来被交互充电的电容器；比较电容器的充电电压与基准电压而生成脉冲的脉冲生成电路；以及对电容器交互地供给温度依赖电流和基准电流的控制电路，温度依赖电压生成电路具有开关，该开关对形成构成内部的电流源电路的MOS晶体管，及成为所述电流源电路的负载的双极型晶体管的连接关系进行切换。

主权项

一种温度传感器，其特征在于包括： 生成依赖于温度的温度依赖电位的温度依赖电压生成电路； 根据温度依赖电位使温度依赖电流流过的电流生成晶体管； 生成不依赖于温度的基准电流的基准电流生成电路； 通过利用所述温度依赖电流的第一充电周期和利用所述基准电流的第二充电周期来被交互充电的电容器； 比较所述电容器的充电电压与基准电压而生成脉冲的脉冲生成电路；以及 对所述电容器交互地供给所述温度依赖电流和所述基准电流的控制电路， 在第一充电周期中输出温度依赖脉冲，该温度依赖脉冲具有依赖于温度的脉冲宽度，在第二充电周期中输出基准脉冲，该基准脉冲具有不依赖于温度的脉冲宽度；所述温度依赖电压生成电路由以下部分构成： 利用第一MOS晶体管及第二MOS晶体管构成的电流源电路； 以所述第一或所述第二MOS晶体管中的任意一个为负载输出第一电位的第一双极型晶体管； 经由电阻将所述第一或所述第二MOS晶体管中的任意另一个为负载，且用作温度传感器的第二双极型晶体管，该温度传感器使用输出第二电位的双极型晶体管的带隙； 对所述第一MOS晶体管或第二MOS晶体管中的任意一个与所述第一双极型晶体管的连接进行切换的第一切换开关； 对所述第一MOS晶体管或第二MOS晶体管中的任意另一个与所述第二双极型晶体管的连接进行切换的第二切换开关；以及 放大所述第一电位与所述第二电位之电位差，并将放大电压输出至所述第一及第二MOS晶体管的栅极的运算放大器。