| 发明名称 | 一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型属于半导体试验测试技术领域，公开了一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件；包括：VDMOS芯片以及表贴管壳；所述VDMOS芯片封装在所述表贴管壳内；在所述表贴管壳背面，对应VDMOS芯片漏极位置设置通孔。本实用新型通过在VDMOS管的管壳上设置通孔，实现VDMOS管功率芯片的双向单粒子激光脉冲试验，从而更好的模拟功率器件的单粒子效应。 | ||
| 申请公布号 | CN203588990U | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201320739599.1 | 申请日期 | 2013.11.20 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 高博;丁凯凯;刘刚;王立新;韩郑生;张彦飞;孙博韬 |
| 分类号 | H01L23/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘杰 |
| 主权项 | 一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件；其特征在于，包括：VDMOS芯片以及表贴管壳；所述VDMOS芯片封装在所述表贴管壳内；在所述表贴管壳背面，对应VDMOS芯片漏极位置设置通孔。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||