一种半导体结构的形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构的形成方法，包括提供形成有多孔低K介质层的衬底，并对所述多孔低K介质层进行刻蚀，采用有机气体对刻蚀后的多孔低K介质层进行处理，之后采用等离子体进行处理，能够使得多孔低K介质层表面变得密实，从而能够防止金属扩散到多孔低K介质层中，大大的提高了多孔低K介质层的可靠性，有利于提高器件的性能和良率。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有多孔低K介质层；刻蚀所述多孔低K介质层形成凹槽结构；对所述刻蚀后的多孔低Ｋ介质层进行有机气体处理；及对所述有机气体处理后的多孔低K介质层进行等离子体处理，以形成密实的表面。