发明名称 |
发光器件 |
摘要 |
公开了一种发光器件、一种制造发光器件的方法、一种发光器件封装件、以及一种照明系统。该发光器件包括:衬底;在该衬底上的第一导电半导体层;在该第一导电半导体层上的有源层;在该有源层上的第二导电半导体层;通过穿过该衬底来形成的通孔与该第一导电半导体层进行接触的第一通路电极;以及通过穿过该衬底、该第一导电半导体层、和该有源层来形成的第二通孔与该第二导电半导体层进行接触的第二通路电极。 |
申请公布号 |
CN103779471A |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201310491634.7 |
申请日期 |
2013.10.18 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
林东旭 |
分类号 |
H01L33/38(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;F21S2/00(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N |
主分类号 |
H01L33/38(2010.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
顾晋伟;全万志 |
主权项 |
一种发光器件,包括:衬底;第一导电半导体层,所述第一导电半导体层设置在所述衬底上;有源层,所述有源层设置在所述第一导电半导体层上;第二导电半导体层,所述第二导电半导体层设置在所述有源层上;第一通路电极,所述第一通路电极通过穿过所述衬底的通孔接触所述第一导电半导体层;以及第二通路电极,所述第二通路电极通过穿过所述衬底、所述第一导电半导体层、和所述有源层的第二通孔接触所述第二导电半导体层。 |
地址 |
韩国首尔 |