一种面对等离子体的钨涂层部件的制备方法

摘要

本发明公开了一种面对等离子体的钨涂层部件的制备方法，包括如下步骤：（1）将铬锆铜合金基材根据面对等离子体部件的尺寸加工成所需的几何形状；（2）将加工好的铬锆铜合金基材的表面清洗干净，去除表面氧化层，并保持基材的温度在480℃以下，采用物理气相沉积法在铬锆铜合金基材表面形成5-100μm厚的纯度高于99.9wt%的铜中间适配层；（3）以六氟化钨气体为原料，以氢气为还原气体，在280-480℃的基材温度条件下，在铜中间适配层上进行化学气相沉积，以形成0.02-2mm厚度的钨涂层，即制得所述面对等离子体的钨涂层部件。本发明的方法相比热等静压扩散焊接、热压扩散焊接、叠层轧制、爆破复合等，工艺过程简单、成本低、易于实现，同时不会污染环境。

主权项

一种面对等离子体的钨涂层部件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）将铬锆铜合金基材根据面对等离子体部件的尺寸加工成所需的几何形状；（2）将加工好的铬锆铜合金基材的表面清洗干净，去除表面氧化层，并保持基材的温度480℃以下，采用物理气相沉积法在铬锆铜合金基材表面形成5‑100μm厚的纯度高于99.9wt%的铜中间适配层；（3）以六氟化钨气体为原料，以氢气为还原气体，在280‑480℃的基材温度条件下，在铜中间适配层上进行化学气相沉积，以形成0.02‑2mm厚度的钨涂层，即制得所述面对等离子体的钨涂层部件。