一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括如下步骤：步骤S101：在形成有目标膜层的半导体衬底上形成核心材料层和位于其上的硬掩膜；步骤S102：在所述半导体衬底上形成间隔材料薄膜；步骤S 103：对所述间隔材料薄膜进行刻蚀以形成位于所述核心材料层侧壁的间隔层；步骤S104：在所述半导体衬底上形成覆盖所述目标膜层的牺牲层；步骤S105：对所述半导体衬底进行刻蚀，在去除部分所述牺牲层的同时去除所述硬掩膜；步骤S106：去除所述核心材料层和所述牺牲层。该方法由于在形成间隔层的步骤与去除硬掩膜的步骤间增加了形成牺牲层的步骤，因而避免了目标膜层被不当刻蚀，易于控制间隔层的高度和厚度，保证了制造的半导体器件的良率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：在形成有目标膜层的半导体衬底上形成核心材料层和位于其上的硬掩膜；步骤S102：在所述半导体衬底上形成间隔材料薄膜；步骤S103：对所述间隔材料薄膜进行刻蚀以形成位于所述核心材料层侧壁的间隔层；步骤S104：在所述半导体衬底上形成覆盖所述目标膜层的牺牲层；步骤S105：对所述半导体衬底进行刻蚀，在去除部分所述牺牲层的同时去除所述硬掩膜；步骤S106：去除所述核心材料层和所述牺牲层。