发明名称 镁合金表面制备硬质防护膜的方法
摘要 本发明提供一种镁合金表面制备硬质防护膜的方法,其特征在于:先采用电弧离子镀,选择高纯Cu靶和使用Ar气作为工作气体,沉积金属Cu层;然后通过电镀,沉积金属Ni层;最后通过电弧离子镀,选择高纯高纯Cr靶,使用高纯Ar气和N<sub>2</sub>气作为工作气体,在镁合金上表面沉积CrN单层膜或Cr/CrN多层膜,本发明提出一种结合力良好、不污染环境的镁合金表面制备CrN单层膜或Cr/CrN多层膜的方法,用以实现镁合金构件表面防护和改性的目的。
申请公布号 CN102560485B 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN201110379822.1 申请日期 2011.11.25
申请人 沈阳工业大学 发明人 宋贵宏;熊光连;陈立佳
分类号 C23C28/00(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/32(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C25D3/18(2006.01)I 主分类号 C23C28/00(2006.01)I
代理机构 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 代理人 宋铁军;周智博
主权项 一种镁合金表面制备硬质防护膜的方法,其特征在于:先采用电弧离子镀,选择高纯Cu靶和使用Ar气作为工作气体,沉积金属Cu层;然后通过电镀,沉积金属Ni层;最后通过电弧离子镀,选择高纯Cr靶,使用高纯Ar气和N<sub>2</sub>气作为工作气体,在镁合金上表面沉积CrN单层膜或Cr/CrN多层膜,具体包括以下步骤: (1)、镁合金件放入沉积装置之前,经过机械研磨、抛光,然后使用有机溶剂除油和化学脱脂预处理; (2)、把前处理的镁合金样片固定在电弧离子镀装置内的衬底支架上,并对电弧离子镀装置设备室抽真空; (3)、使用高纯Cu靶,将Ar气通入真空室,在低气压下引燃电弧,在镁合金上沉积金属Cu层;随后原位进行真空热处理; (4)、镁合金上预沉积的Cu膜后要进行真空时效处理;处理温度200℃‑400℃,时效时间为0.5‑2.0小时; (5)、从真空腔内取出热处理后的沉积Cu层的镁合金试样,进行电镀金属Ni层,随后进行表面清洗、晾干; (6)、将晾干的电镀金属Ni层的试样放入电弧离子镀真空腔内衬底支架上,并对设备室抽真空;通入Ar气,选用高纯Cr靶,启弧,利用400V‑800V占空比15%‑40%的脉冲偏压进行常规的清洁处理; (7)、镁合金电镀金属Ni层后,采用电弧离子镀沉积CrN硬质膜,沉积时,加入反应气体N<sub>2</sub>气,保持真空室内气体总压强为0.03‑2.0Pa;在沉积Cr/CrN多层防护膜时,也可以周期性交替地加入环境气体Ar气和N<sub>2</sub>气,保持真空室内气体总压强为0.03‑2.0Pa,通过控制Ar气或N<sub>2</sub>气通入时间,控制多层膜中Cr相和CrN相厚度,制备出不同调制周期的多层膜; (8)、沉积结束后,关闭脉冲偏压和弧电源,关闭气体,待样片在真空室中冷却到室温,打开真空室取出即可; 步骤(5)中,Ni层厚度在10‑30μm;电镀金属Ni层所用的电镀液成分与工艺如下:硫酸镍200~350g/L,氯化镍20~40g/L,硼酸20~40g/L,香豆素1~2g/L,镀Ni添加剂1~2g/L,余量为去离子水,预镀液pH4~6;电镀温度在10℃‑25℃,电流密度1~10A/dm<sup>2</sup>,在室温下预镀0.5h~2.0h,取出后用流水冲洗晾干; 步骤(3)中的金属Cu层厚度为0.1‑1.0μm。
地址 110870 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号