发明名称 |
用于非易失性存储器的编程和擦除方法 |
摘要 |
对具有电荷存储层的非易失性存储设备进行编程或擦除的方法,包括执行至少一个单元编程或擦除循环,每一个单元编程或擦除循环包括向非易失性存储设备的一部分(例如,字线或衬底)施加作为正或负电压的至少一个编程脉冲、至少一个擦除脉冲、至少一个时间延迟、至少一个软擦除脉冲、至少一个软编程脉冲和/或至少一个验证脉冲。 |
申请公布号 |
CN101414483B |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN200810179960.3 |
申请日期 |
2008.08.20 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
文承炫;崔奇焕 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01)I;G11C16/12(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
李芳华 |
主权项 |
一种用于对具有电荷存储层的非易失性存储设备进行编程的方法,包括:执行至少一个单位编程循环,每一单位编程循环包括,向字线施加至少两个编程脉冲,向字线施加至少两个时间延迟,以及向字线施加一个验证脉冲,其中,所述至少两个编程脉冲和所述至少两个时间延迟被以这样的方式交替施加到所述字线:以至少两个编程脉冲之一开始,交替地施加至少两个编程脉冲之一和至少两个时间延迟之一。 |
地址 |
韩国京畿道 |