含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法

摘要

本发明公开了一种含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法，其做法是：将CuIn_0.7Ga_0.3Se₂靶材，交替进行低功率密度溅射和高功率密度溅射，交替次数至少为一次；每次交替中均先进行低功率密度溅射形成一层含Cu量高的沉积层，后进行高功率密度溅射形成含Cu量低的沉积层；最后在真空中热处理形成含Cu量分层变化的CIGS光吸收层薄膜。该法可以方便的制备出所需要的Cu含量分层变化的铜铟镓硒薄膜，制备时只需一个靶材，制备方法简单，对设备要求低，工艺稳定；且制备的薄膜各层的成分均匀性好，薄膜质量高。

主权项

一种含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法，其做法是：将CuIn_0.7Ga_0.3Se₂靶材交替进行低功率密度溅射和高功率密度溅射，交替次数至少为一次；每次交替中均先进行低功率密度溅射形成一层含Cu量高的沉积层，后进行高功率密度溅射形成含Cu量低的沉积层；最后在真空中热处理形成含Cu量分层变化的CIGS光吸收层薄膜；所述的低功率密度溅射的工艺条件为，功率密度0.5～4.0W/cm²,靶距为4～8cm，工作气压为0.1～4.0Pa，衬底温度为室温到300℃；所述的高功率密度溅射的工艺条件为，功率密度6.0～10.0W/cm²,靶距为4～8cm，工作气压为0.1～4.0Pa，衬底温度为室温到300℃；所述的真空中热处理工艺条件为，在50～3000Pa的氩气或氮气气氛中，升温到380～550℃，保温10～60min。