GaN基薄膜芯片的制造方法

摘要

一种GaN基薄膜芯片的制造方法，包括：1)在一蓝宝石衬底上生长外延层，该外延层包括N型层、活性层和P型层；2)在外延层上制作反射层；3)在反射层上涂覆第一树脂层；4)在第一树脂层上粘合第一临时基板，并固化；5)对蓝宝石衬底进行激光剥离，露出外延层的一面；6)在露出的外延层的一面涂覆第二树脂层；7)在第二树脂层粘合第二临时基板，并固化；8)去除第一临时基板和第一树脂层，露出反射层；9)在反射层上电镀永久支撑基板；10)去除第二临时基板和第二树脂层；11)粗化激光剥离掉蓝宝石衬底后的外延层的表面；12)在粗化后的外延层的表面制作电极。

主权项

一种GaN基薄膜芯片的制造方法，包括：1)在一蓝宝石衬底上生长外延层，该外延层包括N型层、活性层和P型层；2)在外延层上制作反射层；3)在反射层上涂覆第一树脂层；4)在第一树脂层上粘合第一临时基板，并固化；5)对蓝宝石衬底进行激光剥离，露出外延层的一面；6)在露出的外延层的一面涂覆第二树脂层；7)在第二树脂层上粘合第二临时基板，并固化；8)去除第一临时基板和第一树脂层，露出反射层；9)在反射层上电镀永久支撑基板，该永久支撑基板由Ti、Ni、Al、Pt、Pd、Au、Cr、Cu的一种或几种组成，厚度是50‑10000微米；10)去除第二临时基板和第二树脂层；11)粗化激光剥离掉蓝宝石衬底后的外延层的表面；12)在粗化后的外延层的表面制作电极。