| 发明名称 | 存储器阵列的控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种存储器阵列的控制方法，包括：所述存储器阵列通过对字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加不同的工作电压以实现对存储器单元的读取、编程和擦除；其中，对未选中的存储器单元连接的第一控制线和第二控制线施加的电压均为负电压。在本发明提供的存储器阵列的控制方法中，通过第一控制线和第二控制线对字线未选中的存储器单元施加负电压以阻止电子在位线之间的电压差的作用下进入未选中的存储器单元，从而避免对选中的存储器单元进行操作的同时对其他的存储器单元造成串扰。 | ||
| 申请公布号 | CN103778948A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201410010434.X | 申请日期 | 2014.01.09 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 顾靖 |
| 分类号 | G11C7/12(2006.01)I;G11C8/08(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种存储器阵列的控制方法，其特征在于，包括：所述存储器阵列通过对字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加不同的工作电压以实现对存储器单元的读取、编程和擦除；其中，对未选中的存储器单元连接的第一控制线和第二控制线施加的电压均为负电压。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||