发明名称 |
一种基于双图案的半导体器件的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种基于双图案的半导体器件的制造方法,所述方法包括:提供半导体衬底以及位于所述衬底上的掩膜层;在所述掩膜层上形成图案化的光刻胶层,所述图案化的光刻胶层为通过开口相互隔离的光刻胶核;在所述图案化的光刻胶层上形成交联顶部表面层;去除部分所述光刻胶层侧壁,以削瘦所述光刻胶核、减小所述光刻胶核的关键尺寸;旋涂内侧壁材料层,并覆盖所述交联顶部表面层;回蚀刻所述内侧壁材料层,以在所述光刻胶核上形成内侧壁;去除剩余的交联顶部表面层和剩余的光刻胶核,以形成双图案化的掩膜。本发明的方法更加简单,无化学气相沉积内侧壁材料带来的应力问题,且蚀刻步骤减少,使得成本大大降低,进一步提高了产品的良率。 |
申请公布号 |
CN103779187A |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201210399295.5 |
申请日期 |
2012.10.18 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
胡华勇 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
董巍;高伟 |
主权项 |
一种基于双图案的半导体器件的制造方法,所述方法包括:提供半导体衬底以及位于所述衬底上的掩膜层;在所述掩膜层上形成图案化的光刻胶层,所述图案化的光刻胶层为通过开口相互隔离的光刻胶核;在所述图案化的光刻胶层上形成交联顶部表面层;去除部分所述光刻胶层侧壁,以削瘦所述光刻胶核、减小所述光刻胶核的关键尺寸;旋涂内侧壁材料层,覆盖所述交联顶部表面层;回蚀刻所述内侧壁材料层,以在所述光刻胶核上形成内侧壁;去除剩余的交联顶部表面层和剩余的光刻胶核,以形成双图案化的掩膜。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |