| 发明名称 | 发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光器件。所述发光器件包括纳米结构、设置在纳米结构上的第一半导体层、在第一半导体层上的有源层和设置在有源层上的第二导电半导体层。所述纳米结构包括设置在第一半导体层下方接触第一半导体层的石墨烯层和从石墨烯层的顶表面沿朝向第一半导体层的方向延伸并且接触第一半导体层的多个纳米构造物。 | ||
| 申请公布号 | CN103779459A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201310488036.4 | 申请日期 | 2013.10.17 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 崔宰熏;李范渊;宋基荣;崔洛俊 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
| 主权项 | 一种发光器件，其包括：纳米结构；设置在所述纳米结构上的第一半导体层；设置在所述第一半导体层上的有源层；和设置在所述有源层上的第二导电半导体层；其中所述纳米结构包括：设置在所述第一半导体层下方的接触所述第一半导体层的石墨烯层；和从所述石墨烯层的顶表面沿朝向所述第一半导体层的方向延伸并且接触所述第一半导体层的多个纳米构造物。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||