发明名称 | 具良好电性接触反射镜的发光二极管 | ||
摘要 | 本发明为一种具良好电性接触反射镜的发光二极管,应用于一发光二极管,该发光二极管包含依序堆叠的一N型电极、一N型半导体层、一发光层与一P型半导体层、一反射镜、一缓冲层、一结合层、一永久基板与一P型电极,其中该P型半导体层与该反射镜之间设置一本质半导体层,且该本质半导体层扩散有该P型半导体层的掺杂元素与该反射镜的材料元素,据此本发明藉由扩散有该P型半导体层的掺杂元素与该反射镜的材料元素的该本质半导体层可以形成欧姆接触,让该反射镜与该P型半导体层之间具有良好电性接触,以提升发光效率而满足使用上的需求。 | ||
申请公布号 | CN103779474A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
申请号 | CN201210394301.8 | 申请日期 | 2012.10.17 |
申请人 | 联胜光电股份有限公司 | 发明人 | 陈复邦;颜伟昱;张智松 |
分类号 | H01L33/40(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/40(2010.01)I |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 梁挥;祁建国 |
主权项 | 一种具良好电性接触反射镜的发光二极管,应用于一发光二极管,该发光二极管包含依序堆叠的一N型电极、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一反射镜、一缓冲层、一结合层、一永久基板与一P型电极,其特征在于:该P型半导体层与该反射镜之间设置一本质半导体层,且该本质半导体层扩散有该P型半导体层的掺杂元素与该反射镜的材料元素。 | ||
地址 | 中国台湾台中市西屯区科园三路8号 |