发明名称 |
半导体发光器件及其制造方法 |
摘要 |
根据一个实施例,一种半导体发光器件包括:不少于三个芯片(3a,3b),所述芯片中的每一个芯片包括半导体层(15),所述半导体层(15)具有第一面(15a)、形成在与所述第一面相对的一侧上的第二面、以及发光层(12a);p侧电极(16),其被设置在所述第二面上具有所述发光层的区域中;以及n侧电极(17),其被设置在所述第二面上不具有所述发光层的区域中;以及被设置在所述芯片的所述第一面上的相同种类的荧光体层(31)。所述芯片包括:位于平面图中心的中心芯片(3a),以及至少两个周边芯片(3b),其在所述平面图中彼此对称布置并且夹置所述中心芯片(3a)。在所述周边芯片中,所述第一面上的所述荧光体层(31)的厚度相同,并且所述中心芯片的所述第一面上的所述荧光体层(31)与所述周边芯片的所述第一面上的所述荧光体层(31)具有彼此不同的厚度。 |
申请公布号 |
CN103782401A |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201280043649.0 |
申请日期 |
2012.03.14 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
秋元阳介;小岛章弘;岛田美代子 |
分类号 |
H01L33/50(2006.01)I;H01L25/075(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H05B33/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/50(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈松涛;夏青 |
主权项 |
一种半导体发光器件,包括:不少于三个芯片,每一个所述芯片包括:半导体层,所述半导体层具有第一面、形成在与所述第一面相对的一侧的第二面、以及发光层;p侧电极,所述p侧电极被设置在所述第二面上具有所述发光层的区域中;以及n侧电极,所述n侧电极被设置在所述第二面上不具有所述发光层的区域中;以及被设置在所述芯片的所述第一面上的相同种类的荧光体层,所述芯片包括:位于平面图中心的中心芯片,以及至少两个周边芯片,所述至少两个周边芯片在所述平面图中彼此对称布置并且夹置所述中心芯片,在所述周边芯片中,所述第一面上的所述荧光体层的厚度相同,并且所述中心芯片的所述第一面上的所述荧光体层与所述周边芯片的所述第一面上的所述荧光体层具有彼此不同的厚度。 |
地址 |
日本东京都 |