发明名称 |
一种高介电常数的Bi<sub>1-X</sub>Ho<sub>X</sub>FeO<sub>3</sub> 铁电薄膜及其制备方法 |
摘要 |
一种高介电常数的Bi<sub>1-x</sub>Ho<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>铁电薄膜及其制备方法,x=0.04~0.12,该薄膜为扭曲的钙钛矿结构,菱形晶系,均匀性好,空间点群为R-3m(160),在1kHz频率下,其介电常数为199.3~299.0。制备方法:按摩尔比为(1.05-x):1:x将硝酸铋、硝酸铁和硝酸钬溶于乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中,得前驱液;在基片上旋涂前驱液,匀胶后烘烤得干膜,再退火,得Bi<sub>1-x</sub>Ho<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>薄膜,重复旋涂前驱液、烘烤、退火至达到所需的薄膜厚度,得高介电常数的Bi<sub>1-x</sub>Ho<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>铁电薄膜。本发明设备要求简单,掺杂量易控,能够大幅度提高BiFeO<sub>3</sub>薄膜的介电性能。 |
申请公布号 |
CN103771528A |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201310717715.4 |
申请日期 |
2013.12.20 |
申请人 |
陕西科技大学 |
发明人 |
谈国强;耶维 |
分类号 |
C01G49/00(2006.01)I |
主分类号 |
C01G49/00(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
陆万寿 |
主权项 |
一种高介电常数的Bi<sub>1‑x</sub>Ho<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>铁电薄膜,其特征在于:其化学式为Bi<sub>1‑x</sub>Ho<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>,x=0.04~0.12;在1kHz下,其介电常数为199.3~299.0。 |
地址 |
710021 陕西省西安市未央区大学园1号 |