发明名称 一种高介电常数的Bi<sub>1-X</sub>Ho<sub>X</sub>FeO<sub>3</sub> 铁电薄膜及其制备方法
摘要 一种高介电常数的Bi<sub>1-x</sub>Ho<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>铁电薄膜及其制备方法,x=0.04~0.12,该薄膜为扭曲的钙钛矿结构,菱形晶系,均匀性好,空间点群为R-3m(160),在1kHz频率下,其介电常数为199.3~299.0。制备方法:按摩尔比为(1.05-x):1:x将硝酸铋、硝酸铁和硝酸钬溶于乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中,得前驱液;在基片上旋涂前驱液,匀胶后烘烤得干膜,再退火,得Bi<sub>1-x</sub>Ho<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>薄膜,重复旋涂前驱液、烘烤、退火至达到所需的薄膜厚度,得高介电常数的Bi<sub>1-x</sub>Ho<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>铁电薄膜。本发明设备要求简单,掺杂量易控,能够大幅度提高BiFeO<sub>3</sub>薄膜的介电性能。
申请公布号 CN103771528A 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN201310717715.4 申请日期 2013.12.20
申请人 陕西科技大学 发明人 谈国强;耶维
分类号 C01G49/00(2006.01)I 主分类号 C01G49/00(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 陆万寿
主权项 一种高介电常数的Bi<sub>1‑x</sub>Ho<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>铁电薄膜,其特征在于:其化学式为Bi<sub>1‑x</sub>Ho<sub>x</sub>FeO<sub>3</sub>,x=0.04~0.12;在1kHz下,其介电常数为199.3~299.0。
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