发明名称 一种掩膜版修复方法
摘要 本发明公开了一种掩膜版修复方法,采用紫外光处理掩膜版的图形缺失修复后产生的halo残余缺陷,利用短波长高能量的紫外光,激发残余缺陷,使其短时间内分解,从而使得halo残余缺陷消失。并且,采用紫外光处理不会对掩膜版的相位层造成损坏,也就降低了处理的风险,同时能够避免残余缺陷在经过实际生产的大量过货使用而变得糟糕,大大延长了使用寿命,节省了生产成本。
申请公布号 CN103777463A 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN201210413900.X 申请日期 2012.10.25
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 吴苇
分类号 G03F1/72(2012.01)I;G03F1/74(2012.01)I 主分类号 G03F1/72(2012.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种掩膜版修复方法,其特征在于,包括:提供掩膜版;对所述掩膜版的缺陷区域进行图形填充;对图形填充后的掩膜版进行紫外光照射处理。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号