发明名称 |
增大LED发光功率的集成方法 |
摘要 |
增大LED发光功率的集成方法,在衬底上由下至上依次外延缓冲层薄膜系、n型薄膜系、多量子阱系、p型薄膜系组成传统的LED外延结构,在此之上继续外延另外的n型薄膜系、多量子阱系、p型薄膜系组成半导体光放大器。本发明还提供了在传统的LED芯片结构中沿着外延生长方向增加多节LED结构。本发明的优点是在传统的LED芯片结构生长方向上增加具有光放大增益的结构大幅增大出光效率,同时不扩大芯片的发光面积,有效提高了单个圆片的器件实际产能。在传统的LED芯片结构中沿着外延生长方向增加多节LED结构,使得LED芯片具有多级串联的效果,大幅提高了发光功率,实现了大功率的光输出,同时降低了芯片的成本。 |
申请公布号 |
CN103779450A |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201210396163.7 |
申请日期 |
2012.10.17 |
申请人 |
甘志银 |
发明人 |
甘志银;严晗 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
上海市华诚律师事务所 31210 |
代理人 |
李平 |
主权项 |
一种增大LED发光功率的集成方法,其特征在于在金属有机物化学气相沉积、分子束外延和氢化物气相外延设备上生长LED外延薄膜,集成方法为:在衬底上由下至上依次外延缓冲层薄膜系、n型薄膜系、多量子阱系、p型薄膜系组成基本的LED外延结构,在基本的LED外延结构之上继续外延n型薄膜系、多量子阱系、p型薄膜系组成半导体光放大器。 |
地址 |
528251 广东省佛山市南海区平洲南港路沙尾工业西区C栋一楼 |