| 发明名称 | 硼掺杂石墨烯薄膜及其制备方法与应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种硼掺杂石墨烯薄膜的制备方法，具体包括如下步骤：将衬底放入无氧反应室中，并将衬底加热到500～1300℃，充入气体碳源、气体硼源及惰性气体，反应30～300分钟后停止通气并将所述衬底放入FeCl<sub>3</sub>溶液中，直至所述衬底完全溶解，过滤得硼掺杂石墨烯，然后将所得的硼掺杂石墨烯超声分散在甲基吡咯烷酮中得硼掺杂石墨烯悬浮液，过滤所得硼掺杂石墨烯悬浮液，在滤膜上层叠得固体产物，干燥所述固体产物即得所述硼掺杂石墨烯薄膜。本发明利用化学气相沉积法制备的硼掺杂石墨烯单层面积较大，形成薄膜后具有较高的拉升强度，可以直接用作电极片，不需集流体。 | ||
| 申请公布号 | CN103779571A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201210412159.5 | 申请日期 | 2012.10.25 |
| 申请人 | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 | 发明人 | 周明杰;钟辉;王要兵;袁新生 |
| 分类号 | H01M4/62(2006.01)I;H01M4/38(2006.01)I;H01M4/133(2010.01)I;H01G9/042(2006.01)I | 主分类号 | H01M4/62(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人 | 刘抗美;刘耿 |
| 主权项 | 一种硼掺杂石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：将衬底放入无氧反应室中，并将衬底加热到500～1300℃，充入气体碳源、气体硼源及惰性气体，反应30～300分钟后停止通气并将所述衬底放入FeCl<sub>3</sub>溶液中，直至所述衬底完全溶解，过滤得硼掺杂石墨烯，然后将所得的硼掺杂石墨烯超声分散在甲基吡咯烷酮中得硼掺杂石墨烯悬浮液，过滤所得硼掺杂石墨烯悬浮液，在滤膜上层叠得固体产物，干燥所述固体产物即得所述硼掺杂石墨烯薄膜。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层 | ||