| 发明名称 | 质子辐照时掺杂效率的提高 | ||
| 摘要 | 本发明涉及质子辐照时掺杂效率的提高。描述一种用于掺杂半导体主体的方法和借助这样的方法制造的半导体主体。所述方法包括：借助质子辐照所述半导体主体和借助电子辐照所述半导体主体。在借助质子的辐照之后并且在借助电子的辐照之后回火所述半导体主体，以便借助扩散在空穴上积聚质子。 | ||
| 申请公布号 | CN103779194A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201310501673.0 | 申请日期 | 2013.10.23 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | J.拉文;F.J.尼德诺斯泰德;F.D.普菲尔施;H-J.舒尔策 |
| 分类号 | H01L21/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张涛;胡莉莉 |
| 主权项 | 用于掺杂半导体主体的方法，包括以下步骤：借助质子辐照所述半导体主体；借助电子辐照所述半导体主体；在借助质子的辐照之后并且在借助电子的辐照之后回火所述半导体主体，以便借助扩散在空穴上积聚质子。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||