| 发明名称 | 一种基于复合漏极的高压器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于复合漏极的高压器件及其制作方法，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间还设有线性AlGaN层，线性AlGaN层上设有p-GaN层，P-GaN层上设有基极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述钝化层的间隔内淀积有加厚电极。本发明在器件导通时的导通电阻得到减小，而在截止状态时的击穿电压得到提高，兼顾了器件击穿电压的提高与导通电阻的减小。 | ||
| 申请公布号 | CN103779417A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201410029823.7 | 申请日期 | 2014.01.22 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 冯倩;杜锴;梁日泉;代波;郝跃 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人 | 郭官厚 |
| 主权项 | 一种基于复合漏极的高压器件，其特征在于，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间还设有线性AlGaN层，线性AlGaN层上设有p‑GaN层，p‑GaN层上设有基极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述钝化层的间隔内淀积有加厚电极。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||