发明名称 |
一种半导体器件的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成由栅极介电层、栅极材料层和硬掩膜层自下而上堆叠而成的叠层结构;蚀刻所述叠层结构,以在所述半导体衬底上形成栅极结构;回蚀刻所述硬掩膜层,以去除位于所述栅极结构顶部的两侧上方的硬掩膜层;形成围绕所述栅极结构和所述硬掩膜层的侧壁材料层;蚀刻所述侧壁材料层,以在所述硬掩膜层的两侧以及所述栅极结构的两侧形成侧壁;在位于所述栅极结构两侧的侧壁的两侧形成牺牲层间介质层;在所述栅极结构顶部的两侧或中部形成凹槽;形成自对准金属硅化物。根据本发明,通过在所述栅极结构顶部的两侧或中部形成凹槽来增大所述栅极结构的表面积,进而减小栅极电阻。 |
申请公布号 |
CN103779211A |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201210396670.0 |
申请日期 |
2012.10.18 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
邓浩 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
董巍;高伟 |
主权项 |
一种半导体器件的制造方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成由栅极介电层、栅极材料层和硬掩膜层自下而上堆叠而成的叠层结构;蚀刻所述叠层结构,以在所述半导体衬底上形成栅极结构;回蚀刻所述硬掩膜层,以去除位于所述栅极结构顶部的两侧上方的硬掩膜层;形成围绕所述栅极结构和所述硬掩膜层的侧壁材料层;蚀刻所述侧壁材料层,以在所述硬掩膜层的两侧以及所述栅极结构的两侧形成侧壁;在位于所述栅极结构两侧的侧壁的两侧形成牺牲层间介质层;在所述栅极结构顶部的两侧或中部形成凹槽;形成自对准金属硅化物。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |