薄膜晶体管

摘要

一种薄膜晶体管，包括作为缓冲层的半导体层，该半导体层包含氮，且在栅极绝缘层和源区及漏区之间的至少源区及漏区一侧的非晶结构中包括晶体区域。与在沟道形成区中具有非晶半导体的薄膜晶体管相比，可以提高薄膜晶体管的导通电流。并且，与在沟道形成区中具有微晶半导体的薄膜晶体管相比，可以降低薄膜晶体管的截止电流。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：衬底上的栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；与所述栅极绝缘层接触并包括第一区域和第二区域的半导体层，所述第一区域比所述第二区域靠近所述栅极绝缘层；以及形成源区及漏区的杂质半导体层，所述杂质半导体层与所述半导体层的所述第二区域的一部分接触，其中微晶半导体形成在所述半导体层的所述第一区域中，晶体区域分散地存在于所述半导体层的所述第二区域中的非晶结构中，以及其中，所述半导体层的所述第二区域中的氮浓度通过二次离子质谱分析法测定时为1×10²⁰cm^‑3至1×10²¹cm^‑3。