一种碳化硅灭磁电阻及其制备方法

摘要

本发明涉及一种灭磁电阻及其制备方法，灭磁电阻按重量百分比配比：碳化硅为80～90％、结合剂为12～19％、导电碳黑为0.5～2.5％，本发明通过改变灭磁电阻材料配方，将碳化硅SiC的半导体颗粒分散在有一定电阻率的结合剂内，经过充分混合、磨细、压制成型、并控制烧结环境、烧结温度和烧结时间，制备出成本低、性能优良的碳化硅SiC灭磁电阻，本发明单片阀片残压比国外的SIC灭磁电阻低5％，通流能力大6％，而且相同电流流过后温升小10％，阀片残压变化率小10％。

主权项

一种碳化硅灭磁电阻，其特征在于：所述碳化硅灭磁电阻的原料组份重量百分配比为：碳化硅：粒径≤180目：32～36％60目＞粒径≥120目：24～27％粒径≥60目：24～27％结合剂：12～19％导电碳黑0.5～2.5％其中，所述结合剂由水玻璃和磷酸二氢铝配比混合而成，两者的重量配比范围为1∶0.2～0.5。