发明名称 |
一种晶体硅太阳电池的导电减反射膜和晶体硅太阳电池 |
摘要 |
本发明提供一种晶体硅太阳电池的导电减反射膜,所述导电减反射膜为双功能层结构,靠近晶体硅太阳电池硅衬底的功能层为钝化层,远离晶体硅太阳电池硅衬底的功能层为导电层;导电层所采用的导电介质选自AZO、ITO、ATO、SnO<sub>2</sub>中的至少一种。本发明还提供了一种采用该导电减反射膜的晶体硅太阳电池。本发明提供的导电减反射膜,对硅表面进行良好钝化,还能有效收集PN结产生的光生载流子、使其复合被抑制,光利用率大;同时导电层还可以将电池向光面电极的栅线有效连接,使电极电阻分布均匀,电池的串联电阻变小,填充因子显著增加,提高电池的光电转化效率。另外,本发明提供的晶体硅太阳电池的制造工艺简单,适合大规模商业化生产。 |
申请公布号 |
CN103779430A |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201210416053.2 |
申请日期 |
2012.10.26 |
申请人 |
上海比亚迪有限公司 |
发明人 |
谭伟华;廖辉 |
分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种晶体硅太阳电池的导电减反射膜,其特征在于,所述导电减反射膜为双功能层结构,其中靠近晶体硅太阳电池硅衬底的功能层为钝化层,远离晶体硅太阳电池硅衬底的功能层为导电层;所述导电层所采用的导电介质选自AZO、ITO、ATO或者SnO<sub>2</sub>中的至少一种。 |
地址 |
201611 上海市松江区车墩镇香泾路999号 |