发明名称 低成本低介低损耗LTCC微波陶瓷材料及其制备方法
摘要 本发明提供一种以(Zn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>)<sub>2</sub>SiO<sub>4</sub>,0.05≤x≤0.1为主晶相组成的低成本低介低损耗LTCC微波陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料在硅锌矿结构的Zn<sub>2</sub>SiO<sub>4</sub>基础上进行了适量C<sub>o</sub><sup>2+</sup>的替代,采用LBSCA玻璃助烧降低烧结温度,可实现900℃低温烧结,制备得该微波陶瓷材料介电常数ε<sub>r</sub>为6.1~6.6,具有极低微波损耗、品质因数Q×f值均在30000GHz以上、最高可达到56939GHz,谐振频率温度系数τ<sub>f</sub>约为-55ppm/℃;其制备方法以Co<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、ZnO、SiO<sub>2</sub>原料,依次进行称料、一次球磨、烘料、预烧、掺杂、二次球磨、烘料、造粒、成型、烧结工艺;生产原料便宜、生产成本低、制备工艺简单。该微波陶瓷材料在作为LTCC微波介质基板或器件材料时,可以显著降低微波器件或模块的损耗。
申请公布号 CN103771842A 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN201410012814.7 申请日期 2014.01.10
申请人 电子科技大学 发明人 苏桦;陈华文;唐晓莉;张怀武;荆玉兰;李元勋;刘保元
分类号 C04B35/16(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/16(2006.01)I
代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 李明光
主权项 低成本低介低损耗LTCC微波陶瓷材料,其特征在于,该陶瓷材料的分子结构表达式为(Zn<sub>1‑x</sub>Co<sub>x</sub>)<sub>2</sub>SiO<sub>4</sub>,其中0.05≤x≤0.1。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号