一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管，采用该方法用以实现一种良品率较高的薄膜晶体管。所述薄膜晶体管的制作方法包括：包括在基板上形成栅极图形和栅极绝缘层的过程，以及形成源极、漏极和有源层图形的过程；所述形成源极、漏极和有源层图形的过程具体为：在基板上依次形成覆盖整个基板的半导体层和导电层；分别在所述导电层上待形成源极的区域和待形成漏极的区域形成设定厚度的第一光刻胶层；至少在所述导电层上待形成源极和漏极之间的间隙形成第二光刻胶层；对形成有所述第一光刻胶层、第二光刻胶层、半导体层和导电层的基板进行刻蚀工艺形成有源层、源极和漏极的图形。

主权项

一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括在基板上形成栅极图形和栅极绝缘层的过程，以及形成源极、漏极和有源层图形的过程；所述形成源极、漏极和有源层图形的过程具体为：在基板上依次形成覆盖整个基板的半导体层和导电层；分别在所述导电层上待形成源极的区域和待形成漏极的区域形成设定厚度的第一光刻胶层；至少在所述导电层上待形成源极和漏极之间的间隙形成第二光刻胶层；对形成有所述第一光刻胶层、第二光刻胶层、半导体层和导电层的基板进行刻蚀工艺形成有源层、源极和漏极的图形。