发明名称 一种新型的锥状阵列结构制备方法
摘要 本发明提供了一种新型的锥状阵列结构制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)一次复型:取低熔点合金,加热熔融,向熔融合金熔体中插入模板,待合金凝固后拔出模板,在凝固的低熔点合金表面制备出孔洞阵列,形成一次复型结构;(2)二次复型:在一次复型所得孔洞阵列表面均匀涂覆预聚合的有机物单体,待有机物聚合固化后,将有机物膜与一次复型结构表面分离,即在有机物膜表面制备出锥状阵列结构。本发明可通过调整模板的粗细调整锥状阵列结构的尺寸,制备过程简单,成本低,复制出的锥状阵列结构在紫外-可见-近红外宽频率范围内均具有抗反射效果。
申请公布号 CN103772721A 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN201210398587.7 申请日期 2012.10.19
申请人 金陵科技学院 发明人 张文妍;陆春华;许仲梓;倪亚茹;金俊阳;陈乐
分类号 C08J5/18(2006.01)I;C08L33/12(2006.01)I;C08L83/04(2006.01)I;C08L23/12(2006.01)I 主分类号 C08J5/18(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种新型的锥状阵列结构制备方法,其特征在于包括以下步骤:(1)一次复型:取低熔点合金,加热熔融,向熔融合金熔体中插入模板,待合金凝固后拔出模板,在凝固的低熔点合金表面制备出孔洞阵列,形成一次复型结构;(2)二次复型:在一次复型所得孔洞阵列表面均匀涂覆预聚合的有机物单体,待有机物聚合固化后,将有机物膜与一次复型结构表面分离,即在有机物膜表面制备出锥状阵列结构。
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