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<p>박막을 반도체 기판 상에 형성하는 방법 및 장치가 개시된다. 일 실시예에서, 장치는 기판을 지지하도록 구성되는 프로세스 챔버, 가스 여기 전원, 및 막 전구체를 수용하는 반응성 프로세스 가스 공급부에 유체 연결되는 제1 및 제2 가스 분배 샤워헤드를 포함한다. 샤워헤드는 가스를 기판 위에 2개의 상이한 구역으로 분배하고, 가스는 여기되어 웨이퍼 위에 내측 플라즈마 필드와 외측 플라즈마 필드를 발생시킨다. 장치는 기판에 걸쳐 실질적으로 균일한 두께를 갖는 막의 형성을 촉진하는 방식으로 기판 상에 재료를 증착시킨다. 일 실시예에서, 기판은 웨이퍼이다. 다양한 실시예는 각 구역에서 전력 레벨 및 플라즈마 세기를 변동시키도록 제1 및 제2 샤워헤드에 연결되는 독립적으로 제어 가능한 제1 및 제2 전원을 포함한다.</p> |
