一种高可靠性的铜柱凸块封装方法及其封装结构

摘要

本发明涉及一种高可靠性的铜柱凸块封装方法及其封装结构，属于半导体封装技术领域。其封装工艺如下：提供一带有芯片电极阵列及钝化层的芯片基体；在芯片基体表面沉积一介电层，并形成贯穿介电层的介电层通孔；在芯片电极的上方形成带有锡焊料帽的铜柱凸块，铜柱凸块的底部向下延伸并通过介电层通孔与芯片电极固连。本发明提供了一种降低局部应力、分散电流分布、提高可靠性的铜柱凸块封装方法及其封装结构。

主权项

一种高可靠性的铜柱凸块封装方法，其工艺过程如下：步骤一、提供一带有芯片电极阵列及钝化层（110）的芯片基体（100）；步骤二、采用旋转涂胶或化学气相沉积法在芯片基体（100）表面沉积一介电层（200）；步骤三、通过溅射、电镀或化学镀的方式在介电层（200）表面形成金属层（400）；步骤四、采用旋转涂光刻胶的方式在上述金属层（400）上覆盖一光刻胶层（500），再通过曝光、显影的方式形成贯穿光刻胶层（500）的光刻胶层开口（510），光刻胶层开口（510）的横截面尺寸较小；步骤五、通过湿法腐蚀的方式去除上述光刻胶层开口（510）下方对应的金属，形成贯穿金属层的金属层开口（410）；步骤六、去除剩余的光刻胶，露出形成金属层开口（410）的金属层；步骤七、利用干法刻蚀工艺通过金属层开口（410）形成贯穿介电层（200）的介电层通孔（210）；步骤八、去除金属层；步骤九、依次利用溅射、光刻、电镀、回流的方式在芯片电极（120）的上方形成带有锡焊料帽的铜柱凸块（300），铜柱凸块（300）的底部向下延伸并通过介电层通孔（210）与芯片电极（120）固连，实现电气连通。