| 发明名称 | 基于金刚石衬底的氮化物半导体器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于金刚石衬底的氮化物半导体器件及其制备方法，所述方法包括以下步骤：S1、提供金刚石衬底；S2、在金刚石衬底上采用HVPE(氢化物气相外延法)生长第一氮化物半导体层；S3、在第一氮化物半导体层上采用MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积法)生长第二氮化物半导体层。本发明不用引入介质层，因此氮化物半导体和金刚石衬底界面处的热阻小，材料散热性能好；采用HVPE和MOCVD相结合生长氮化物半导体层具有生长速度快，生长质量优良等特点。 | ||
| 申请公布号 | CN103779193A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201410038850.0 | 申请日期 | 2014.01.27 |
| 申请人 | 苏州能讯高能半导体有限公司 | 发明人 | 张乃千;裴风丽 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮 |
| 主权项 | 一种基于金刚石衬底的氮化物半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、提供金刚石衬底；S2、在金刚石衬底上采用HVPE生长第一氮化物半导体层；S3、在第一氮化物半导体层上采用MOCVD生长第二氮化物半导体层。 | ||
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号 | ||