发明名称 多级尖端会切磁场等离子体推力器分段陶瓷通道
摘要 多级尖端会切磁场等离子体推力器分段陶瓷通道,涉及等离子推进领域。它是为了解决多级尖端会切磁场等离子体推力器出口区羽流震荡,羽流发散角较大,陶瓷通道壁面温度过高,电离率较的问题。本发明陶瓷通道前段为挡板式结构,减小电子对推力器前端面腐蚀,同时与出口永磁铁构成磁回路,具有一定屏蔽作用,减小出口羽流区的磁场强度,电子更容易进入通道进行电离,电势降集中在出口磁分界面,减小羽流发散角;中段氮化硼陶瓷具有较低二次电子发射系数,电子温度较高,电离率较高;近阳极区后段隔热陶瓷减少了通道对阳极热量吸收,阳极热量通过阳极底面导热散出,减少了对永磁铁的散热,避免永磁铁因温度过高而退磁。本发明适用于等离子推进领域。
申请公布号 CN103775297A 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN201410075274.7 申请日期 2014.03.04
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 刘辉;孙国顺;马成毓;陈蓬勃;赵隐剑;于达仁
分类号 F03H1/00(2006.01)I 主分类号 F03H1/00(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人 张宏威
主权项 多级尖端会切磁场等离子体推力器分段陶瓷通道,其特征在于:它包括放电回路和分段陶瓷管道;所述放电回路包括阳极(1)、电源(2)和空心阴极(3),空心阴极(3)的接线端子与电源(2)的负极端相连接,阳极(1)的接线端子与电源(2)的正极端相连接;分段陶瓷管道包括基本磁场和陶瓷通道;所述基本磁场包括第一永磁铁(4)、两个导磁环(5)、第二永磁铁(6)和第三永磁铁(7),第一永磁铁(4)的N极端与第二永磁铁(6)的N极端之间通过一个导磁环(5)固定连接,第二永磁铁(6)的S极端与第三永磁铁(7)的S极端之间通过另一个导磁环(5)固定连接;所述陶瓷通道包括陶瓷挡板(8)、第一陶瓷筒(9)和第二陶瓷筒(10),陶瓷挡板(8)的末端与第一陶瓷筒(9)的一端通过机械挤压连接,第一陶瓷筒(9)的另一端与第二陶瓷筒(10)的一端通过机械挤压连接,第二陶瓷筒(10)的底部开有工质射流孔(11);第一永磁铁(4)的S极端固定连接在陶瓷挡板(8)的边缘底部,阳极(1)固定连接在分段陶瓷管道内部第二陶瓷筒(10)的侧面。
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