发明名称 | 发光器件和制造发光器件的方法 | ||
摘要 | 根据本发明的发光器件包括:第一导电半导体层;第一导电半导体层上的有源层;有源层上的第二导电半导体层;第一钝化层,该第一钝化层包围第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层;第二连接层,该第二连接层通过第一钝化层而被电气地连接到第二导电半导体层;第二连接层和第一钝化层上的第一光提取结构层;第一电极层,该第一电极层被电气地连接到第一导电半导体层;以及第一光提取结构层上的第二电极层。 | ||
申请公布号 | CN102047446B | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
申请号 | CN200980116970.5 | 申请日期 | 2009.04.06 |
申请人 | 宋俊午 | 发明人 | 宋俊午 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 夏凯;谢丽娜 |
主权项 | 一种发光器件,包括:第一导电半导体层;有源层,所述有源层在所述第一导电半导体层上;第二导电半导体层,所述第二导电半导体层在所述有源层上;第一钝化层,所述第一钝化层包围所述第一导电半导体层、所述有源层、以及所述第二导电半导体层;第一电流扩展层,所述第一电流扩展层形成在所述第一导电半导体层上;第一连接层,所述第一连接层形成在所述第一电流扩展层上;第二连接层,所述第二连接层通过所述第一钝化层而被电气地连接到所述第二导电半导体层;第一光提取结构层,所述第一光提取结构层在所述第一钝化层和所述第二连接层上;第一电极层,所述第一电极层形成在所述第一连接层上;以及第二电极层,所述第二电极层在所述第一光提取结构层上,以及其中,所述第一电流扩展层允许所述第一电极层被结合到所述第一导电半导体层。 | ||
地址 | 韩国首尔 |