一种电场钝化背面点接触晶体硅太阳电池及其制备工艺

摘要

本发明属于电池技术领域。具体公开一种电场钝化背面点接触晶体硅太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括硅片衬底，硅片衬底包括有吸收太阳光的前表面，前表面有硅片前表面有扩散得到的n+层、氮化硅减反膜及银前电极，所述银前电极底部设有若干通孔，硅片衬底背面先形成二氧化硅和氮化硅复合钝化膜，复合钝化膜背面印有网状图案的中间铝层，中间铝层通过通孔与银前电极的底部形成合金实现电荷导通，中间铝层背面镀有一层与背面电极形成电荷隔离的氧化铝介质层，网状图案中间铝层的无浆料区域被激光局域开孔并形成局域硼背场，背电极与硅片衬底以点接触方式形成欧姆接触。本发明的电池通过其制备工艺能够形成良好的欧姆接触和局域硼背场，中间铝层与主栅的导通能起到电场钝化作用，减少背面复合速率，并削弱光生电动势对太阳电池的负面影响，提高太阳电池效率。

主权项

一种电场钝化背面点接触晶体硅太阳电池，其特征在于：包括硅片衬底，所述硅片衬底包括有吸收太阳光的前表面，硅片衬底的前表面有扩散得到的n+层、氮化硅减反膜及银前电极，所述银前电极底部设有若干通孔，所述硅片衬底背面先形成二氧化硅和氮化硅复合钝化膜，所述复合钝化膜背面印有网状图案的中间铝层，所述中间铝层通过通孔与银前电极的底部形成合金实现电荷导通，中间铝层背面设有一层与背面电极形成电荷隔离的氧化铝介质层，所述网状图案的中间铝层的无浆料区域被激光局域开孔并形成局域硼背场背电极，该背电极与硅片衬底以点接触方式形成欧姆接触；所述的有网状图案的铝浆料层厚度为5～30μm；所述的氧化铝层厚度为60～300nm。