发明名称 |
一种片状硅的制备方法 |
摘要 |
一种片状硅的制备方法,涉及一种工业硅除硼工艺和片状硅的制备方法。提供可显著减低硼含量,所得片状硅可作为冶金法提纯太阳能级多晶硅的后道工序即酸洗除杂工序理想的低硼原料的一种片状硅的制备方法。采用冶金级硅料作为原料,将原料硅放在石墨坩埚中,通过感应线圈电磁加热,熔化硅料;硅料熔化时,加入造渣剂,控制加热功率,使反应过程中硅液的温度保持在1550~1850℃,造渣精炼结束后,静置,除去浮于硅液上层的废渣;将硅液温度控制在1500~1700℃,然后浇到水冷旋转轮毂上进行淬冷;水冷旋转轮毂为常温;调整水冷旋转轮毂的转速,使硅液飞离水冷旋转轮毂并落入容器中,则在容器中收集得到本发明所述的片状硅。 |
申请公布号 |
CN103011169B |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201210546258.2 |
申请日期 |
2012.12.14 |
申请人 |
厦门大学 |
发明人 |
罗学涛;卢成浩;方明;黄柳青;赖惠先;陈娟;李锦堂 |
分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
代理机构 |
厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 |
代理人 |
刘勇 |
主权项 |
一种片状硅的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)硅料熔化:采用冶金级硅料作为原料,将原料硅放在石墨坩埚中,通过感应线圈电磁加热,熔化硅料;2)造渣精炼除硼:硅料熔化时,加入造渣剂,控制加热功率,使反应过程中硅液的温度保持在1550~1850℃,造渣精炼结束后,静置,除去浮于硅液上层的废渣;3)将硅液温度控制在1500~1700℃,然后浇到水冷旋转轮毂上进行淬冷;水冷旋转轮毂为常温;调整水冷旋转轮毂的转速,使硅液飞离水冷旋转轮毂并落入容器中,则在容器中收集得到所述的片状硅。 |
地址 |
361005 福建省厦门市思明南路422号 |