发明名称 |
差分电流采样电路 |
摘要 |
本发明公开了一种差分电流采样电路。该电路的采样电流输入端接第二NMOS晶体管的漏极;电压输出端接第一NMOS晶体管的源极;控制脉冲输入端接第一NMOS晶体管的栅极;第一PMOS晶体管的源极接电压源,漏极接第三NMOS晶体管的漏极,栅极接第四NMOS晶体管的漏极、第一NMOS晶体管的漏极、第二PMOS晶体管的栅极和漏极;第二PMOS晶体管的源极接电压源;第二NMOS晶体管的栅极接第三NMOS晶体管的栅极和第四NMOS晶体管的栅极;第二NMOS晶体管的源极、第三NMOS晶体管的源极和第四NMOS晶体管的源极均接地。采用MOS管电路,在集成电路中占用面积小,工艺兼容,速度也较快。 |
申请公布号 |
CN103777052A |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201210400008.8 |
申请日期 |
2012.10.20 |
申请人 |
郑州单点科技软件有限公司 |
发明人 |
万建章;王纪云;王晓娟 |
分类号 |
G01R19/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01R19/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种差分电流采样电路,包括采样电流输入端(Io)、电压输出端(Vo)和控制脉冲输入端(MPG),其特征在于,还包括两只PMOS晶体管(P1~P2)和四只NMOS晶体管(N1~N4);采样电流输入端(Io)连接至第二NMOS晶体管(N2)的漏极;电压输出端(Vo)连接至第一NMOS晶体管(N1)的源极;控制脉冲输入端(MPG)连接至第一NMOS晶体管(N1)的栅极;所述第一PMOS晶体管(P1)的源极连接至电压源(VCC),漏极连接至第三NMOS晶体管(N3)的漏极,栅极连接至第四NMOS晶体管(N4)的漏极、第一NMOS晶体管(N1)的漏极、第二PMOS晶体管的栅极和漏极;所述第二PMOS晶体管(P2)的源极连接至电压源(VCC);所述第二NMOS晶体管(N2)的栅极连接至第三NMOS晶体管(N3)的栅极和第四NMOS晶体管(N4)的栅极;所述第二NMOS晶体管(N2)的源极、第三NMOS晶体管(N3)的源极和第四NMOS晶体管(N4)的源极均接地(GND)。 |
地址 |
450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 |