| 发明名称 | 发光器件 | ||
| 摘要 | 公开了一种发光器件，包括：包含第一导电掺杂剂的第一半导体层、在第一半导体层上的有源层、在有源层上的电子阻挡层、在有源层与电子阻挡层之间的载流子注入层，以及在电子阻挡层上的包括第二导电掺杂剂的第二半导体层。载流子注入层包括第一导电掺杂剂和第二导电掺杂剂，并且载流子注入层的第一导电掺杂剂的浓度至少低于第二导电掺杂剂的浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN103779466A | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201310487827.5 | 申请日期 | 2013.10.17 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 崔恩实;吴正铎;郑明训;宋基荣 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：包含第一导电掺杂剂的第一半导体层；设置在所述第一半导体层上的有源层；设置在所述有源层上的电子阻挡层；设置在所述有源层与所述电子阻挡层之间的载流子注入层；以及包含第二导电掺杂剂并且设置在所述电子阻挡层上的第二半导体层；其中所述载流子注入层包含所述第一导电掺杂剂和所述第二导电掺杂剂，以及所述载流子注入层的所述第一导电掺杂剂的浓度至少低于所述第二导电掺杂剂的浓度。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||