碳化硅半导体器件及其制造方法

摘要

当在平面图中观察时，终端区（TM）围绕元件区（CL）。热蚀刻碳化硅衬底（SB）的第一侧以在终端区（TM）处的碳化硅衬底（SB）中形成侧壁（ST）和底表面（BT）。侧壁（ST）具有{0-33-8}和{0-11-4}中的一种面取向。底表面（BT）具有{000-1}的面取向。在侧壁（ST）和底表面（BT）上，形成绝缘膜（8T）。第一电极（12）形成在元件区（CL）处的碳化硅衬底（SB）的第一侧上。第二电极（14）形成在碳化硅衬底（SB）的第二侧上。

主权项

一种制造碳化硅半导体器件（100）的方法，所述碳化硅半导体器件（100）在平面图中观察时具有设置有半导体元件的元件区（CL）以及围绕所述元件区的终端区（TM），并且所述方法包括以下步骤：制备碳化硅衬底，所述碳化硅衬底由具有六方单晶结构的碳化硅制成并且具有在厚度方向上彼此相反的第一侧和第二侧；热蚀刻所述碳化硅衬底的所述第一侧以便在所述终端区处的所述碳化硅衬底中形成侧壁（ST）和底表面（BT），所述侧壁（ST）围绕所述元件区并且具有{0‑33‑8}和{0‑11‑4}中的一种的面取向，所述底表面（BT）围绕包括所述元件区和所述侧壁的区域并且具有{000‑1}的面取向；在所述侧壁和所述底表面上形成绝缘膜（8T）；在所述元件区处的所述碳化硅衬底的所述第一侧上形成第一电极（12）；以及在所述碳化硅衬底的所述第二侧上形成第二电极（14）。