发明名称 一种基于频谱分析的半导体吸收式温度传感器
摘要 本发明公开了一种基于频谱分析的半导体吸收式温度传感器,包括光源、光纤耦合器、探头、第一色散棱镜、第二色散棱镜、第一线阵CCD、第二线阵CCD、第一放大镜、第二放大镜、运算电路及连接各部分的电缆,光源连接光纤耦合器,其特征在于:光纤耦合器分别连接第一色散棱镜和探头,其中第一色散棱镜连接第一线阵CCD,第一线阵CCD连接第一放大器,第一放大器连接运算电路;探头连接第二色散棱镜,第二色散棱镜连接第二线阵CCD,第二线阵CCD连接第二放大镜,第二放大镜连接运算电路。本发明的有益效果在于:体积小、灵敏度高、工作可靠、容易制作,而且没有杂散光损耗,应用范围广,如可以应用于像高压电力装置等特别的场合。
申请公布号 CN103776562A 申请公布日期 2014.05.07
申请号 CN201110459320.X 申请日期 2011.12.30
申请人 上海华魏光纤传感技术有限公司 发明人 陈宇飞
分类号 G01K11/32(2006.01)I 主分类号 G01K11/32(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种基于频谱分析的半导体吸收式温度传感器,包括光源、光纤耦合器、探头、第一色散棱镜、第二色散棱镜、第一线阵CCD、第二线阵CCD、第一放大镜、第二放大镜、运算电路及连接各部分的电缆,光源连接光纤耦合器,其特征在于:光纤耦合器分别连接第一色散棱镜和探头,其中第一色散棱镜连接第一线阵CCD,第一线阵CCD连接第一放大器,第一放大器连接运算电路;探头连接第二色散棱镜,第二色散棱镜连接第二线阵CCD,第二线阵CCD连接第二放大镜,第二放大镜连接运算电路。
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