发明名称 |
一种圆片级硅通孔内的封装结构及其应用 |
摘要 |
本实用新型涉及一种圆片级硅通孔内的封装结构及其应用,属于半导体芯片封装技术领域。其包括表层嵌置芯片电极(200)的硅基本体(100),在硅基本体(100)的芯片电极(200)下方设置硅通孔(110),硅通孔(110)的内壁设置绝缘层(310),绝缘层(310)的表面设置结构保护层(320),在所述硅通孔(110)内的芯片电极(200)下方开设先后贯穿结构保护层(320)、绝缘层(310)的微孔(301),在结构保护层(320)上选择性地设置金属线路层(400),金属线路层(400)通过微孔(301)与芯片电极(200)实现电气连通,金属线路层(400)的表面设置线路保护层(500)。本实用新型能够避免硅通孔内的绝缘层剥落、开裂、覆盖不足等缺陷,提高硅通孔相关产品的成品率和可靠性。 |
申请公布号 |
CN203589033U |
申请公布日期 |
2014.05.07 |
申请号 |
CN201320742912.7 |
申请日期 |
2013.11.22 |
申请人 |
江阴长电先进封装有限公司 |
发明人 |
陈栋;胡正勋;张黎;陈锦辉;赖志明 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人 |
彭英 |
主权项 |
一种圆片级硅通孔内的封装结构,包括表层嵌置芯片电极(200)的硅基本体(100),在所述硅基本体(100)的芯片电极(200)下方设置硅通孔(110),所述硅通孔(110)的顶部为芯片电极(200)的下表面,所述硅通孔(110)的内壁设置绝缘层(310),所述绝缘层(310)沿硅通孔(110)的内壁向硅通孔(110)外延展, 其特征在于:所述绝缘层(310)的表面设置结构保护层(320),在所述硅通孔(110)内的芯片电极(200)下方开设先后贯穿结构保护层(320)、绝缘层(310)的微孔(301),在所述结构保护层(320)上选择性地设置金属线路层(400),所述金属线路层(400)通过微孔(301)与芯片电极(200)实现电气连通,所述金属线路层(400)的表面设置线路保护层(500)。 |
地址 |
214429 江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区(澄江东路99号) |