| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在经由粘接层将玻璃基板与半导体芯片的表面相粘合的半导体装置中，填充粘接层以使得在形成于光电二极管上的绝缘膜的凹陷部中不内含气泡成为课题。在上部形成有具有由层间绝缘膜构成的凹陷部(19)的光电二极管(40)、和由NPN双极晶体管(30)等构成的光半导体集成电路的半导体芯片(50)中，一般用遮光膜(17)覆盖光电二极管(40)上的除了凹陷部(19)区域以及切割区域(21)以外的部分。在本发明中，进一步通过形成从凹陷部(19)起向着该凹陷部(19)的外侧延伸的遮光膜(17)的开口路径(20)，实现了课题的解决。 | ||
| 申请公布号 | CN102237385B | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201110112033.1 | 申请日期 | 2011.04.26 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 石部真三;北川胜彦 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L31/0203(2014.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 雒运朴 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体芯片；光半导体集成电路，其形成于所述半导体芯片的表面，并包含受光元件；绝缘膜，其形成在所述光半导体集成电路上，并在所述受光元件上具有凹陷部；遮光膜，其形成在所述绝缘膜上，并在所述凹陷部上以及所述半导体芯片的端部的切割区域上具有开口，且具有从所述凹陷部的侧面起向着该凹陷部的外侧延伸的开口路径以使进入到所述凹陷部中的气泡逸出；衬垫电极，其在所述切割区域附近与所述光半导体集成电路连接而形成；支撑基板，其经由粘接层与所述半导体芯片的表面粘接；和背面布线电极，其形成于所述半导体芯片的背面，并与所述衬垫电极连接。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||