| 发明名称 | 非晶硅太阳能电池生产中沉积光伏吸收层的工艺 | ||
| 摘要 | 非晶硅太阳能电池生产中沉积光伏吸收层的工艺，包括借助等离子增强化学气相沉积室在玻璃衬底上依次沉积P层、i层和N层，关键是：所述的i层分两层制备，以硅烷和氢气作为反应气体，掺杂气体为TMB和磷烷，上述反应气体、TMB、及磷烷的体积百分比分别为：97.2～97.8％、1.8～2.1％、0.1～1％，步骤如下：设定沉积室中反应气体H<sub>2</sub>/SiH<sub>4</sub>的稀释比为(0.8～1.1)∶1，在P层上沉积厚度为120～150nm的第一i层；改变反应气体H<sub>2</sub>/SiH<sub>4</sub>的稀释比为(8～12)∶1，再在第一i层上沉积厚度为120～150nm的第二i层。本发明改善了非晶硅太阳能电池的光致衰退效应。 | ||
| 申请公布号 | CN102315336B | 申请公布日期 | 2014.05.07 |
| 申请号 | CN201110214546.3 | 申请日期 | 2011.07.28 |
| 申请人 | 东旭集团有限公司;成都泰轶斯太阳能科技有限公司 | 发明人 | 李兆廷;林宏达;陈启聪;陈锦泓;王毓婷 |
| 分类号 | H01L31/20(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市智科友专利商标事务所 44241 | 代理人 | 曲家彬 |
| 主权项 | 非晶硅太阳能电池生产中沉积光伏吸收层的工艺，包括借助等离子增强化学气相沉积室在玻璃衬底(1)上依次沉积P层(2)、i层和N层(5)，其特征在于：所述的i层分两层制备，以硅烷和氢气作为反应气体，掺杂气体为TMB和磷烷，上述反应气体、TMB、及磷烷的体积百分比分别为：反应气体 97.2～97.8％TMB 1.8～2.1％磷烷 0.1～1％所述的工艺步骤中包括：A、设定沉积室中反应气体H2／SiH4的稀释比为(0.8～1.1)：1，在P层(2)上沉积厚度为120～150nm的第一i层(3)；B、改变反应气体H2／SiH4的稀释比为(8～12)：1，再在第一i层(3)上沉积厚度为120～150nm的第二i层(4)。 | ||
| 地址 | 050021 河北省石家庄市汇通路94号 | ||