发明名称 STRIPPER COMPOSITION FOR REMOVAL PHOTORESIST RESIDUE AND STRIPPING METHOD OF PHOTORESISTS USING THE SAME
摘要 <p>본 발명은 (A)유기 술폰산 화합물, (B)글리콜산, 글루콘산, 구연산 및 이들의 염을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 지방족 하이드록시카르복시산 화합물, (C)수용성 유기용매, (D)불소화합물, 및(E)물을 함유하며, 아민을 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 잔류물 제거용 박리액 조성물 및 이를 이용하는 박리 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의해, 반도체 소자 및 평판표시소자 등의 제조공정에 있어서, 에싱 공정 중 발생할 수 있는 경화 및/또는 변질된 포토레지스트를 포함하는 포토레지스트 잔류물의 박리를 위해, 배치 방식 또는 매엽 방식의, 침적법 또는 분무법으로 용이하게 제거할 수 있으며, 박리액 조성물에 노출되는 하부의 금속막 및 절연막에 대한 부식 방지 효과가 우수한 포토레지스트 잔류물 제거용 박리액 조성물 및 이를 이용하는 박리 방법이 제공된다.</p>
申请公布号 KR101392621(B1) 申请公布日期 2014.05.07
申请号 KR20080006083 申请日期 2008.01.21
申请人 发明人
分类号 G03F7/34 主分类号 G03F7/34
代理机构 代理人
主权项
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