| 摘要 |
<p>외부에서의 불순물 등에 대한 내성을 향상할 수 있는 반도체장치 및 그 제조방법을 얻는다. GaAs 기판(1) 위에 하층 배선(2)이 설치되어 있다. GaAs 기판(1) 및 하층 배선(2) 위에 수지막(4)이 설치되어 있다. 수지막(4)은, 하층 배선(2) 위에 개구 5를 갖는다. 하층 배선(2) 및 수지막(4) 위에 SiN막 6이 설치되어 있다. SiN막 6은, 개구 5 내부에 개구 7을 갖는다. 하층 배선(2) 및 수지막(4)의 일부 위에 상층 배선(8)이 설치되어 있다. 상층 배선(8)은, 개구 5, 7을 통해 하층 배선(2)에 접속된 Ti막 8a와, Ti막 8a 위에 설치된 Au막 8b를 갖는다. 상층 배선(8) 및 수지막(4) 위에 SiN막 9가 설치되어 있다. SiN막 9는, 수지막(4) 위에 있어서 SiN막 6에 부착되어 있다. SiN막 6, 9는 Ti막 8a의 주위를 보호한다.</p> |
