基于超结漏场板的槽栅高压器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于超结漏场板的槽栅高压器件及其制作方法，依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔依次设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间、源极和栅极之间还设有线性AlGaN层，栅极与复合漏极之间的线性AlGaN层上设有p-GaN层，p-GaN层上设有基极，栅极位于线性AlGaN层上方的部分还向源极方向形成栅源场板；上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，钝化层的间隔内淀积有加厚电极。本发明兼顾了器件击穿电压的提高与导通电阻的减小，同时采用槽栅结构，增强了栅极对沟道2DEG的调控作用，提高了器件的频率性能。

主权项

一种基于超结漏场板的槽栅高压器件，其特征在于，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔依次设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间、源极和栅极之间还设有线性AlGaN层，栅极与复合漏极之间的线性AlGaN层上设有p‑GaN层，p‑GaN层上设有基极，所述栅极位于线性AlGaN层上方的部分还向源极方向延伸，形成栅源场板；所述复合漏极中位于上部以及线性AlGaN层上方的部分，为漏极场板，其他部分为漏极；上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述钝化层的间隔内淀积有加厚电极。